微電子學單項選擇題每日一練(2020.04.13)

不論正膠或負膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅膜
以下選項排列正確的是：（）。

化學氣相淀積SiO₂與熱生長SiO₂相比較，下面哪些說法是正確的：（）。 
1.熱生長SiO₂只能在Si襯底上生長；
2.CVD SiO₂可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導體材料上；
3.CVD SiO₂，襯底硅不參加反應；
4.CVD SiO₂，溫度低。