單項(xiàng)選擇題
如圖所示，設(shè)D1、D2為理想二極管，試求Vo=？（）
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
E.5V
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1.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)半導(dǎo)體之?dāng)⑹?，何者錯(cuò)誤？（）
A.外質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性較本質(zhì)半導(dǎo)體好
B.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載子為電洞
C.P型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為受體
D.N型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為五價(jià)元素
2.單項(xiàng)選擇題PN半導(dǎo)體加逆向偏壓時(shí)會(huì)有些許電流產(chǎn)生，乃是因?yàn)椋ǎ┧?
A.正離子
B.負(fù)離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)逆向偏壓從10V減少到5V時(shí)，二極管接面的空乏區(qū)將（）
A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰
4.單項(xiàng)選擇題三價(jià)雜質(zhì)加到硅形成（）
A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)
5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，即會(huì)產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子
最新試題
JK觸發(fā)器與RS觸發(fā)器相比，最大的特點(diǎn)是什么？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
或門電路（OR Gate）的邏輯功能可以描述為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)描述是RS觸發(fā)器的一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景？（）
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74LS163是什么類型的計(jì)數(shù)器？（）
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74LS163在哪些場(chǎng)合有應(yīng)用？（）
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題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題