A. 指令操作碼
B. 時序
C. 狀態(tài)條件
D. 地址
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A. CPU與設(shè)備串行工作
B. CPU與設(shè)備并行工作
C. 傳送與主程序串行工作
D. 傳送與主程序并行工作
A. 變址寄存器的內(nèi)容由用戶確定，在程序執(zhí)行過程中不能改變
B. 變址寄存器的內(nèi)容由操作系統(tǒng)確定，在程序執(zhí)行過程中不能改變
C. 變址寄存器的內(nèi)容由用戶確定，在程序執(zhí)行過程中可以改變
D. 變址寄存器的內(nèi)容由操作系統(tǒng)確定，在程序執(zhí)行過程中可以改變
A. 雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
B. 極間電容
C. 磁層
D. 晶體管
A. 硬件設(shè)計人員
B. 系統(tǒng)軟件人員
C. 應(yīng)用軟件人員
D. 用戶
A.磁盤旋轉(zhuǎn)一周所需的時間
B.磁盤旋轉(zhuǎn)半周所需的時間
C.磁盤旋轉(zhuǎn)1/3周所需的時間
D.磁盤旋轉(zhuǎn)2/3周所需的時間
最新試題
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。
由硬件實現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實現(xiàn)的做法被稱為（）
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
計算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的，在某級觀察者角度看到的機(jī)器被稱為（），只需要通過該級語言來了解和使用。
軟件堆棧在工作中（）移動。
計算機(jī)的I/O接口是（）之間的交接界面。
柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。
從給定的選項中選擇認(rèn)為正確的一項。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。（4）CPU通過（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過（）把信息寫入有關(guān)端口。
從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計算D.數(shù)據(jù)計算E.控制器設(shè)計簡單F.控制器設(shè)計復(fù)雜（1）一個指令周期中，（）是每一條指令都必須執(zhí)行的，所完成的功能對所有指令都相同。（2）一個指令周期中，（）對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。（3）一條指令在執(zhí)行過程中，一定要完成（）并保存，以保證程序自動連續(xù)執(zhí)行。（4）指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點是（）。（5）指令流水線方式是提高計算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施，但它的（）。