電路如圖所示。已知：晶體管的β、r_bb′、C_μ、f_β均相等，所有電容的容量均相等；靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流I_EQ均相等。
（1）低頻特性最差即下限頻率最高的電路是？
（2）低頻特性最好即下限頻率最低的電路是？
（3）高頻特性最差即上限頻率最低的電路是？

電路如圖所示。已知晶體管T₁、T₂、T₃為特性相同的同型號(hào)硅管，它們的U_BEQ均為0.7V，r_bb’均為80Ω，均為50；電路中的V_CC=12V，R₁=10kΩ、R₂=5.1kΩ、R₃=1kΩ、R₄=1.2kΩ、R₅=3kΩ、R₆=12kΩ、R₇=20kΩ、R₈=1.2kΩ、R₉=12kΩ、R₁₀=5kΩ、R₁₁=1.2kΩ、R_L=10kΩ；各電容器的電容量均足夠大。試求：
（1）電壓放大倍數(shù)A_u；
（2）輸入電阻R_i及輸出電阻R_o值。

某多級(jí)放大電路如圖所示。圖中兩級(jí)放大器之間采用了直接耦合方式。
（1）設(shè)。計(jì)算放大電路的輸入電阻R_i和輸出電阻R_o；
（2）如果兩只管子的r_bb均近似為零，r_bel=2.6kΩ，其余參數(shù)不變。在R_EL斷開后，求R_i和R₀。

圖示電路是由共集電極電路與共射極電路組成的共集—共射放大電路。這種電路既具有高的輸入電阻，又具有高的電壓放大倍數(shù)。已知。試求電路的電壓放大倍數(shù)A_u、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

放大電路如圖a所示，試推導(dǎo)本電路的電壓增益A_u的表達(dá)式。