問答題簡述DMA的三種工作方式。

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動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。

題型:單項(xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應(yīng)的邏輯電路組成的。(2)定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算,其中()加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡單,電路實(shí)現(xiàn)也最方便。(3)執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要(),否則無法確定是否正確。(4)使用雙符號位執(zhí)行加減法運(yùn)算后,若兩個(gè)符號位不同,即出現(xiàn)01和10,表示運(yùn)算結(jié)果()。(5)在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號位進(jìn)位,或符號位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出,可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的()操作來判斷。

題型:問答題

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的,在某級觀察者角度看到的機(jī)器被稱為(),只需要通過該級語言來了解和使用。

題型:單項(xiàng)選擇題

RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。

題型:單項(xiàng)選擇題

在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()

題型:單項(xiàng)選擇題

已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

將十六進(jìn)制數(shù)(2BA)16化成十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

()是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

題型:單項(xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。

題型:問答題