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A.立即尋址#200
B.寄存器間接尋址(R)
C.存儲(chǔ)器間接尋址(200)
D.直接尋址200
A.一條微指令實(shí)現(xiàn)
B.一段微程序?qū)崿F(xiàn)
C.一個(gè)指令碼實(shí)現(xiàn)
D.一個(gè)條件碼實(shí)現(xiàn)
最新試題
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對(duì)于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號(hào)位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來(lái)的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫(xiě)出[X]反,正確結(jié)果為()。
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問(wèn)、低功耗和大容量?()
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是()。
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
在堆棧計(jì)算機(jī)中,保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場(chǎng)所是()。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()