A.改變RF激勵(lì)位置
B.改變RF激勵(lì)頻率
C.改變層面選擇梯度磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小
D.改變層面選擇梯度磁場(chǎng)的方向
E.同時(shí)改變RF激勵(lì)位置和層面選擇梯度場(chǎng)強(qiáng)的大小

A.層面選擇梯度磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)維持不變，只變化射頻脈沖頻率
B.不斷移動(dòng)射頻脈沖激勵(lì)的位置
C.射頻脈沖頻率不變，改變層面選擇梯度磁場(chǎng)方向
D.射頻脈沖頻率和層面選擇梯度磁場(chǎng)方向都不變
E.同時(shí)改變射頻脈沖頻率和層面選擇梯度磁場(chǎng)方向

A.一個(gè)很弱的均勻磁場(chǎng)
B.在一定方向上其強(qiáng)度隨空間位置而變化的磁場(chǎng)
C.始終與主磁場(chǎng)同方向的弱磁場(chǎng)
D.一個(gè)交變磁場(chǎng)，其頻率等于拉莫爾頻率
E.一個(gè)交變磁場(chǎng)，其頻率隨自旋質(zhì)子所在位置而不同

A.T₂
B.磁化矢量最大值約為37%
C.自旋—晶格弛豫
D.自旋—自旋弛豫
E.相位由聚合變?yōu)槭?/p>

A.縱向弛豫
B.縱向恢復(fù)
C.橫向弛豫
D.橫向恢復(fù)
E.縱向平衡

A.¹H
B.¹⁷O
C.²³Ha
D.¹⁴N
E.¹⁹F

A.20%
B.25%
C.37%
D.50%
E.63%

A.僅有一個(gè)質(zhì)子
B.中子和質(zhì)子均為奇數(shù)
C.中子為奇數(shù)，質(zhì)子為偶數(shù)
D.中子為偶數(shù)，質(zhì)子為奇數(shù)
E.中子為偶數(shù)，質(zhì)子為偶數(shù)

A.磁化傳遞
B.磁敏感效應(yīng)
C.化學(xué)位移
D.流入效應(yīng)
E.磁飽和效應(yīng)

A.右手螺旋管定則
B.左手螺旋管定則
C.電磁感應(yīng)定律
D.安培定律
E.無(wú)法規(guī)定