A.縱向磁場
B.周向磁場
C.擺動(dòng)磁場
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A.顯示磁痕可能誤判
B.磁通量將不均勻
C.需要比較大的流動(dòng)性
A.可能使磁場減弱
B.可能產(chǎn)生磁瀉
C.可能損傷零件某端
A.連續(xù)法
B.剩磁法
C.間斷法
D.反向電流法
A.高于居里點(diǎn)的熱處理
B.交流線圈
C.可換向的直流磁場
D.以上方法都可以
A.干法交流電
B.干法直流電
C.濕法交流電
D.濕法直流電
最新試題
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
由于超聲波對進(jìn)入面的表面粗糙度、入射超聲束的方向等有一定的要求,必要時(shí)應(yīng)通過增添專門的工序,采用經(jīng)批準(zhǔn)的加工方法準(zhǔn)備超聲波進(jìn)入面。
儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié),當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí),儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。
缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測量,測試時(shí)儀器抑制置“零”或“開”位,必要時(shí)可加匹配線圈。
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進(jìn)入試件的檢測的方法。
對于圓柱體而言,外圓徑向檢測實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。