高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

儀器時基線比例一般在試塊上調節(jié)，當工件與試塊的聲速不同時，儀器的時基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。

對于圓柱體而言，外圓徑向檢測實心圓柱體時，入射點處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。

缺陷垂直時，擴散波束入射至缺陷時回波較高，而定位時就會誤認為缺陷在軸線上，從而導致定位不準。

非金屬夾雜等缺陷的聲阻抗與鋼的聲阻抗相差很小，聲波在缺陷上的透射和吸收明顯高于白點和氣孔等缺陷。

在檢測晶粒粗大和大型工件時，應測定材料的衰減系數(shù)，計算時應考慮介質衰減的影響。

水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計算公式與圓柱形平面反射體的表達式進行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

無論聲波相對于缺陷是垂直入射還是斜入射，缺陷大小不同其反射波的指向性有相當大的差異。

儀器時基線調節(jié)比例時，若回波前沿沒有對準相應垂直刻度或讀數(shù)不準，會使缺陷定位誤差增加。