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填空題在基本組態(tài)的放大電路中，負(fù)載電阻R_L越大，則電壓放大倍數(shù)的值（），信號源的內(nèi)阻R₀越大，則源電壓放大倍數(shù)的值（）。

參考答案： 越大；越小

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1.填空題晶體三極管的參數(shù)受溫度影響，當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的I_CBO將（），β將（），|U_BE|將（）。

參考答案：增大；增大；減小

2.填空題PN結(jié)外加正向電壓時(shí)其空間電荷區(qū)寬度將（），PN結(jié)中（）電流占優(yōu)勢。

參考答案：變窄；擴(kuò)散

3.填空題半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是由（）形成的，少數(shù)載流子是由（）產(chǎn)生的。

參考答案：摻入雜質(zhì)；本征激發(fā)

4.問答題 如下圖所示電路中的運(yùn)放將工作于深度負(fù)反饋條件下，已知：R_F1=10k，R_F2=1k，R=10K，I_S=1mA，試求：
（1）u_o1的表達(dá)式；
（2）當(dāng)u_o1從0~1v變化時(shí)，求R_X的變化范圍。

參考答案：

5.問答題 差動(dòng)放大電路如圖所示，已知β₁=β₂=50，R_C1=R_C2=5kΩ，R_B1=R_B2=1kΩ，R_C3=3.6kΩ，R=3k，R_P=100Ω=0.1kΩ，V_CC=+12V，－V_CC=－12V，試求：
（1）靜態(tài)工作點(diǎn)I_C1Q，I_C2Q，u_CE1Q，u_CE2Q
（2）差模電壓放大倍數(shù)A_u
（3）差模輸入電阻R_id、輸出電阻R_od

參考答案：