二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝，以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（）

發(fā)生康普頓散射的條件是（）

一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為（）

康普頓效應(yīng)對(duì)射線檢測(cè)的影響包括（）

通常所謂20KV的X射線是指（）

原子是元素的具體存在，是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。

下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述，不正確的一項(xiàng)是（）

對(duì)于平行于檢測(cè)面的缺陷，一般采用（）檢測(cè)。

底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是（）

不同材料的相對(duì)吸收系數(shù)（）