水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

爬波在自由表面的位移有垂直分量，但不是純粹的表面波。

對于橫波斜探頭而言，不同K值的探頭的靈敏度不同，因此探頭K值偏差也會影響缺陷的定量。

為了減少側(cè)壁的影響，必要時可采用試塊比較法進行定量，以便提高定量精度。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計算公式與圓柱形平面反射體的表達式進行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

儀器時基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當工件與試塊的聲速不同時，儀器的時基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。

缺陷垂直時，擴散波束入射至缺陷時回波較高，而定位時就會誤認為缺陷在軸線上，從而導致定位不準。

動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

衍射時差法對缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。