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A.容量大,速度快,成本低
B.容量大,速度慢,成本高
C.容量小,速度快,成本高
D.容量小,速度快,成本低
A.存放數(shù)據(jù)
B.存放程序
C.存放數(shù)據(jù)和程序
D.存放微程序
A.RAM
B.ROM
C.Cache
D.主存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器
最新試題
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對(duì)于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號(hào)位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。
將十進(jìn)制數(shù)(-0.288)10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù),要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位,正確結(jié)果為()。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()
()又稱字選法,所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。
從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.存儲(chǔ)矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲(chǔ)器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性(1)無論是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器還是靜態(tài)存儲(chǔ)器,都是由()、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。(2)在Cache的三種映像方式中,()實(shí)際上是對(duì)另外兩種映像方式的折中,是它們的普遍形式。(3)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中,()是解決運(yùn)行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。(4)虛擬存儲(chǔ)器有三種地址空間,其中()用于存放運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。(5)多級(jí)結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器系統(tǒng),是建立在程序運(yùn)行的()原理之上的。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。