從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個(gè)不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。（4）CPU通過（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過（）把信息寫入有關(guān)端口。

在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫的程序可以由（）進(jìn)行解釋。

（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。

由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為（）

計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是（）。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲(chǔ)信息的。

主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成？（）

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。