A、透照厚度比、工件外徑、工件壁厚
B、工件外徑、透照厚度比、射線源與工件表面距離
C、工件壁厚、透照厚度比、工件外徑、射線源與工件表面距
D、透照厚度比、工件壁厚/工件外徑、工件外徑/射線源與工件表面距離
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、膠片直接受射線照射曝光
B、采用鉛箔增感屏
C、采用熒光增感屏
D、以上都是
A、透照電壓應(yīng)盡可能低
B、透照電壓應(yīng)與透照厚度相適應(yīng)
C、透照電壓不應(yīng)超過(guò)允許的最高值
D、以上都是
A、降低管電壓
B、減少管電流
C、增加管電流
D、加長(zhǎng)焦距
A、40KV曝光時(shí),襯度高,曝光范圍比50KV時(shí)大
B、50KV曝光時(shí),襯度低,曝光范圍比40KV時(shí)大
C、40KV曝光時(shí),襯度較低,曝光范圍比50KV時(shí)大
D、50KV曝光時(shí),襯度高,曝光范圍比40KV時(shí)大
A、熒光增感屏法
B、在暗盒內(nèi)同時(shí)裝有兩張重疊的相同膠片
C、在暗盒內(nèi)同時(shí)裝有兩張具有不同感光速度的膠片
D、雙壁攝影法
最新試題
下列關(guān)于IIW試塊的說(shuō)法,正確的是()
水浸式垂直探傷鋼板時(shí),超聲波進(jìn)入工件內(nèi)傳播的有()
直射法探傷時(shí)試件的探測(cè)面應(yīng)選在與缺陷最大表面()
射線照像底片上產(chǎn)生黑色樹(shù)枝狀花紋的原因是()
底片干燥時(shí),一般不得超過(guò)60℃,是因?yàn)椋ǎ?/p>
焊縫斜探頭探傷時(shí)儀器示波屏?xí)r間軸按1:1調(diào)整后,其始波前沿()
表征平面圓晶片發(fā)射的超聲束特征的主要是()
關(guān)于圓晶片輻射的超聲波,下列說(shuō)法正確的是()(S為傳播距離,N為近場(chǎng)長(zhǎng)度)。
超聲縱波以590000cm/s的速度穿過(guò)29.5mm厚的工件,所需時(shí)間為()
感應(yīng)電流法磁化工件主要采用()