在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

無論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射，缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。

對(duì)于圓柱體而言，外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí)，入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

由于圓柱形工件有一定的曲率，直探頭與工件直接接觸時(shí)，接觸面為一條很寬的條形區(qū)域，從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。

衍射時(shí)差法對(duì)缺陷檢出率高，超聲波束覆蓋區(qū)域大，缺陷高度測(cè)量精確，實(shí)時(shí)成像，快速分析。