根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開(kāi)”位，必要時(shí)可加匹配線圈。

當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí)，而又沒(méi)有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，會(huì)使定量誤差增加，精度下降。

在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

爬波在自由表面的位移有垂直分量，但不是純粹的表面波。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

非金屬夾雜等缺陷的聲阻抗與鋼的聲阻抗相差很小，聲波在缺陷上的透射和吸收明顯高于白點(diǎn)和氣孔等缺陷。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

檢測(cè)曲面工件時(shí)，探頭與工件接觸有兩種情況，一是平面與曲面接觸，另一種是將探頭斜楔磨成曲面，探頭與工件曲面接觸。

對(duì)于橫波斜探頭而言，不同K值的探頭的靈敏度不同，因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。