無(wú)論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射，缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。

超聲波在圓柱內(nèi)反射，如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換，且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波，返回探頭接收，會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。

為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。

儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí)，儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。

發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度，它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。

電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流，在外加磁場(chǎng)的作用下，在工件中形成超聲波波源。

缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。