單項選擇題用末端屏蔽法測量110kV串級式電壓互感器的tgδ時，在試品底座法蘭接地、電橋正接線、Cx引線接試品x、xD端條件下，其測得值主要反映的是（）的絕緣狀況。

A.一次繞組對二次繞組及地；
B.處于鐵芯下芯柱的1／2一次繞組對二次繞組之間；
C.鐵芯支架；
D.處于鐵芯下芯柱的1／2一次繞組端部對二次繞組端部之間。


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1.單項選擇題測量局部放電時，要求耦合電容（）。

A.tgδ小；
B.絕緣電阻高；
C.泄漏電流??；
D.在試驗電壓下無局部放電。

2.單項選擇題電容式電壓互感器電氣試驗項目（）的測試結(jié)果與其運行中發(fā)生二次側(cè)電壓突變?yōu)榱愕漠惓，F(xiàn)象無關(guān)。

A.測量主電容C1的tgδ和C；
B.測量分壓電容C2及中間變壓器的tgδ、C和MΩ；
C.電壓比試驗；
D.檢查引出線的極性。

3.單項選擇題110～220kV電磁式電壓互感器，電氣試驗項目（）的測試結(jié)果與其油中溶解氣體色譜分析總烴和乙炔超標無關(guān)。

A.空載損耗和空載電流試驗；
B.絕緣電阻和介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ測量；
C.局部放電測量；
D.引出線的極性檢查試驗。

5.單項選擇題測量介質(zhì)損耗因數(shù)，通常不能發(fā)現(xiàn)的設(shè)備絕緣缺陷是（）。

A.整體受潮；
B.整體劣化；
C.小體積試品的局部缺陷；
D.大體積試品的局部缺陷。