新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時(shí)隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時(shí)，對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？

分析底片上出現(xiàn)白色（黑度低于周圍焊縫或母材的黑度）缺陷影像的原因？

簡(jiǎn)述滲透探傷方法的選擇原則。

要建筑一個(gè)Ir192透照室，源活度100C，墻外容許照射量率為0.25毫倫/小時(shí)，求混凝土墻的厚度至少各多少？（設(shè)工作人員最小工作距離為5米，水泥半減層為3.6cm，Kr=4.72）

試驗(yàn)線圈激勵(lì)電流應(yīng)保持恒定，這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息（）。

下圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來(lái)測(cè)定（）。

交流電流在試驗(yàn)物體中產(chǎn)生渦流。矢量Hs代表試件中的二次交變磁場(chǎng)，只有具有哪種作用渦流檢驗(yàn)才有意義（）。

JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定磁軛的磁極間距應(yīng)控制在（）。

寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。

什么是實(shí)際焦點(diǎn)和有效焦點(diǎn)？x射線機(jī)說(shuō)明書給出的是哪個(gè)焦點(diǎn)？焦點(diǎn)尺寸如何計(jì)算？