單項(xiàng)選擇題二極管反向偏壓時(shí),空乏區(qū)寬度會(huì)()
A.變大
B.不變
C.變小
D.變大或者變小
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1.單項(xiàng)選擇題
右圖之電路,流過稽納二極管之電流約為()
A.3.7mA
B.3.1mA
C.1.5mA
D.0.63mA
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN,斷路時(shí)出現(xiàn)空乏區(qū)是為了()
A.制止擴(kuò)散電流
B.制止漂移電流
C.增加擴(kuò)散電流
D.增加漂移電流,以達(dá)熱平衡
3.單項(xiàng)選擇題光電二極管之逆向電流與入射光強(qiáng)度成()
A.正比
B.平方成正比
C.立方成正比
D.平方成反比
4.單項(xiàng)選擇題二極管由P型材料與N型材料接合而成,當(dāng)二極管被反偏時(shí)的電流稱為逆向飽和電流,逆向飽和電流的大小主要與下列何者有關(guān)?()
A.二極管所在環(huán)境的溫度
B.反向偏壓的大小
C.加反向偏壓的時(shí)間
D.與反向偏壓的大小、加反向偏壓的時(shí)間同時(shí)有關(guān)
5.單項(xiàng)選擇題以GaAs為材料作之晶體管比Si材料作之晶體管,能在較高頻率使用,主要是因?yàn)椋ǎ?/a>
A.濃度較高
B.帶電量較大
C.移動(dòng)率較快
D.以上皆非
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