單項(xiàng)選擇題目前高頻開(kāi)關(guān)整流器采用的高頻功率開(kāi)關(guān)器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及兩者混合管和（）等等。

A、晶閘管
B、可控硅
C、功率集成器件
D、晶體管


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題G.655光纖波長(zhǎng)區(qū)在1530-1565nm，衰減常數(shù)技術(shù)指標(biāo)（）dB/km。

A、0.50
B、0.35
C、0.25
D、0.2

2.單項(xiàng)選擇題模塊的限流值應(yīng)該在（）Ie之間可以連續(xù)可調(diào)。

A、0％～100％
B、50％～100％
C、30％～110％

3.單項(xiàng)選擇題高頻開(kāi)關(guān)電源采用脈寬調(diào)制（PWM）方式，其開(kāi)關(guān)頻率一般在30—500KHz范圍內(nèi)，如果開(kāi)關(guān)頻率再提高，就會(huì)（）。

A、對(duì)外發(fā)射，影響通信設(shè)備
B、兩組開(kāi)關(guān)管來(lái)不及相互轉(zhuǎn)換
C、開(kāi)關(guān)損耗隨之增加，效率反而下降