單項(xiàng)選擇題可控硅在應(yīng)用中當(dāng)陽極加上正電壓，陰極加負(fù)電壓時(shí)，若控制極不加電壓，可控硅處于（）狀態(tài)。

A.發(fā)射
B.導(dǎo)通
C.恢復(fù)
D.阻斷


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1.單項(xiàng)選擇題K表示可控硅的（）極。

A.陽
B.陰
C.控制
D.發(fā)射

2.單項(xiàng)選擇題晶閘管由（）層半導(dǎo)體組成。

A.4
B.3
C.2
D.1

3.單項(xiàng)選擇題晶體三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的特點(diǎn)是（）。

A.發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)正向偏置
B.發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置
C.結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置
D.結(jié)和集電結(jié)都處于正向偏置發(fā)射

4.單項(xiàng)選擇題鍺二極管的反向飽和電流（）μA。

A.小于1
B.大于1
C.幾十到幾百
D.幾百到幾千

5.單項(xiàng)選擇題硅二極管的過渡區(qū)電壓大致在（）V。

A.0.1~0.2
B.0.1~0.3
C.0.1~0.5
D.0.5~0.7