本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。

光交叉處理（）的調(diào)度，通常與所承載的業(yè)務(wù)類型（）。（）處理電信號(hào)的調(diào)度，與所承載的業(yè)務(wù)類型（）

一空氣平行板電容器，兩級(jí)間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>

1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001，-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。（）

DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）

DWDM設(shè)備OLP單板可以檢測(cè)的告警有（）

硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。（）

DWDM系統(tǒng)OTU單板使用的半導(dǎo)體光檢測(cè)器主要有PIN管和APD管兩種，對(duì)APD管來(lái)說(shuō)，其接收光功率過(guò)載點(diǎn)為（）dBm。

中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上？（）

通過(guò)U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到（）。