單項(xiàng)選擇題（）是干式磁粉探傷中最常用的。

A、三相交流電
B、半波整流交流電
C、高壓低安培電流
D、穩(wěn)恒直流電


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1.單項(xiàng)選擇題淬火螺栓經(jīng)磁粉探傷后，通電法退磁的電流（）。

A、電流應(yīng)盡量大，使之達(dá)到磁飽和
B、低于充磁時(shí)的電流強(qiáng)度
C、比充磁時(shí)的電流稍大些
D、螺栓已經(jīng)過熱處理，不必通電退磁

2.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)漏磁通的敘述正確的是（）。

A.內(nèi)部缺陷處的漏磁通，比同樣大小的表面缺陷為大
B.缺陷的漏磁通通常同試件上的磁通密度成反比
C.表面缺陷的漏磁通密度，隨著離開表面距離的增加而急劇減弱
D.用有限線圈磁化長(zhǎng)的試件，不需進(jìn)行分段磁化

3.單項(xiàng)選擇題漏磁場(chǎng)強(qiáng)度與下列（）有關(guān)。

A.磁化的磁場(chǎng)強(qiáng)度與材料的導(dǎo)磁率
B.缺陷埋藏的深度、方向和形狀尺寸
C.缺陷內(nèi)部的介質(zhì)
D.A、B和C

4.單項(xiàng)選擇題被磁化的工件表面有一裂紋，使裂紋處吸引磁粉的原因是（）。

A.矯頑力
B.漏磁場(chǎng)
C.多普勒效應(yīng)
D.裂紋處的高應(yīng)力

5.單項(xiàng)選擇題漏磁場(chǎng)與（）有關(guān)。

A.磁化的磁場(chǎng)強(qiáng)度與材料的磁導(dǎo)率
B.缺陷埋藏的深度、方向和形狀尺寸
C.缺陷內(nèi)的介質(zhì)
D.A、B和C