判斷題電力MOSFET不具備靜態(tài)特性。

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1.多項(xiàng)選擇題下列屬于晶閘管的派生器件的是()。

A.快速晶閘管
B.雙向晶閘管
C.逆導(dǎo)晶閘管
D.光控晶閘管

2.多項(xiàng)選擇題下列哪些是對觸發(fā)脈沖和脈沖觸發(fā)電路的要求?()

A.觸發(fā)脈沖有足夠的幅值
B.觸發(fā)脈沖波形有一定的寬度
C.觸發(fā)脈沖功率足夠
D.觸發(fā)電路有良好的抗干擾性能

3.多項(xiàng)選擇題下列不是電力電子器件并聯(lián)均流措施的是()。

A.盡量采用特性一致的元器件進(jìn)行并聯(lián)
B.盡量采用特性不一致的元器件進(jìn)行并聯(lián)
C.安裝時(shí)盡量使各并聯(lián)器件具有對稱的位置
D.安裝時(shí)不能使各并聯(lián)器件具有對稱的位置

4.多項(xiàng)選擇題GTR的主要特性是()。

A.耐壓低
B.耐壓高
C.電流大
D.電流小

5.多項(xiàng)選擇題晶閘管門極說法正確的是()。

A.可以控制其導(dǎo)通
B.可以控制其關(guān)斷
C.不能控制其導(dǎo)通
D.不能控制其關(guān)斷

6.多項(xiàng)選擇題下列是常用的過電流保護(hù)措施的是()。

A.快速熔斷器
B.直流快速斷路器
C.過電流繼電器
D.以上都不正確

7.單項(xiàng)選擇題電力二極管的最高工作結(jié)溫通常在()℃之間。

A.0-100
B.50-125
C.100-175
D.125-175

8.單項(xiàng)選擇題()是將電力MOSFET與晶閘管SCR組合而成的復(fù)合型器件。

A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT

9.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管的英文表示為()。

A.GTO
B.GTR
C.電力MOSFET
D.IGBT

10.單項(xiàng)選擇題使IGBT開通的柵射極間驅(qū)動電壓一般?。ǎ¬。

A.(-5)-(-15)
B.10-15
C.15-20
D.20-25

最新試題

并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()

題型:單項(xiàng)選擇題

清零端與脈沖信號的狀態(tài)無關(guān),所以叫做同步清零。

題型:判斷題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。

題型:單項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題

本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。

題型:單項(xiàng)選擇題

對理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個(gè)電路具有自起功能。

題型:判斷題

所謂異步時(shí)序邏輯電路,是指電路中所有的觸發(fā)器,具有同一個(gè)時(shí)鐘脈沖CP的作用,因此各觸發(fā)器的狀態(tài)也不可能處于同一時(shí)刻改變。

題型:判斷題