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問(wèn)答題 已知硅光電池2CR32的受光面積為5×10mm²，在室溫30℃，人射光照度為1000W/m²的條件下，U_OC=0.55V，I_SC=12×10^-3A。求能在200～700W/m²照度范圍內(nèi)，求：
⑴取得最大線性輸出電壓下最佳負(fù)載R_L。
⑵輸出電壓ΔU。
⑶輸出電流ΔI。

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1.問(wèn)答題 已知硅光電二極管2DU2的靈敏度S_i=0.55μA/μW，結(jié)間漏置電導(dǎo)G=0.02μS，轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓U_M=13V，入射光功率從Φ_min=15μW變到Φ_max=35μW，供電偏電壓為U_b=55V。求：
（1）取得最大線性輸出電壓下最佳負(fù)載R_L。
（2）輸出電壓ΔU。
（3）輸出電流ΔI。

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2.問(wèn)答題一塊半導(dǎo)體樣品，有光照時(shí)電阻為50Ω，無(wú)光照時(shí)為5000Ω，求樣品的光電導(dǎo)。

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3.問(wèn)答題可見(jiàn)光的波長(zhǎng)、頻率和光子的能量范圍（給出計(jì)算公式）各是多少？

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4.問(wèn)答題現(xiàn)有GDB-423光電倍增管的陰極有效面積為2cm²，陰極靈敏度為25μA/lm，倍增系統(tǒng)的放大倍數(shù)10⁵，陽(yáng)極額定電流為20μA，求允許的最大照度。

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5.問(wèn)答題某種光電材料的逸出功為1Ev，試計(jì)算該材料的紅限波長(zhǎng)。

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