填空題在單晶硅表面制作絨面時(shí),常用的各向異性腐蝕劑有有機(jī)腐蝕劑和(),并且被腐蝕的單晶硅表面為100晶面時(shí),可形成金字塔方椎形狀,腐蝕后方椎高度一般為3~6µm。

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5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于多晶硅和非晶硅電池,以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是()

A.在擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)中,只有注入的少子存在很大的濃度梯度,因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對(duì)可見(jiàn)光譜的吸收很強(qiáng),是晶硅的500倍,整個(gè)太陽(yáng)光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍,因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的,因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比,非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)(S-W效應(yīng)),但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。

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太陽(yáng)能是太陽(yáng)內(nèi)部()原子發(fā)生聚變而釋放出的巨大能量。

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光伏系統(tǒng)中使用的蓄電池有多種,在較大的系統(tǒng)中考慮到技術(shù)成熟性和成本等因素,通常使用()

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下列對(duì)集中式光伏電站描述不正確的是()

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正弦脈寬調(diào)制技術(shù)(SPWM)是通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體開關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷進(jìn)行控制,使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖,用這些脈沖來(lái)代替正弦波或其他所需要的波形。

題型:判斷題