問答題簡(jiǎn)述非晶氫化氮化硅(α-SiNx:H)薄膜的優(yōu)點(diǎn)及其制備工藝。
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通常在建筑物之上建設(shè)()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列對(duì)集中式光伏電站描述不正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制作太陽(yáng)電池組件時(shí),根據(jù)電池組件所需的()確定單片太陽(yáng)電池的串聯(lián)數(shù)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可以單獨(dú)作為電源使用的太陽(yáng)能電池最小單元是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅太陽(yáng)能電池輸出電壓的極性為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
半導(dǎo)體中的價(jià)電子必須獲得一定的能量被激發(fā)到()才具有導(dǎo)電能力。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光伏發(fā)電系統(tǒng)中,蓄電池放電深度一般為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,為了延長(zhǎng)蓄電池的壽命,利用()對(duì)蓄電池過放電、過充電、深度充電、負(fù)載過流和反充電等情況加以限制。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,存儲(chǔ)光伏發(fā)電系統(tǒng)的電能,并在日照量不足、夜間以及應(yīng)急狀態(tài)時(shí)給負(fù)載供電的設(shè)備是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一般來講,方陣朝向()時(shí),太陽(yáng)能電池發(fā)電量是最大。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題