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填空題a-Si：H作為四面體結(jié)合的非晶體，是由（）束縛結(jié)構(gòu)構(gòu)成的，為了緩和堅固的電路內(nèi)部應(yīng)力，易引發(fā)不可見光能帶等的結(jié)構(gòu)缺陷。

1.填空題非晶半導(dǎo)體材料，是失去了像結(jié)晶型那長距離晶格結(jié)構(gòu)后的材料，其原子周圍的化學(xué)鍵狀態(tài)與結(jié)晶時保持（）的狀態(tài)。

2.填空題為了保持優(yōu)良的結(jié)晶性能，提高制膜速度，除了要采用（）；（）投入外，多數(shù)也采用導(dǎo)入電源頻率為60MHz---100MHz的VHF帶等離子體的CVD法。

3.填空題在a-Si：H太陽能電池中，此低光吸收和（），可以作為電極或者窗口一側(cè)的結(jié)合層來利用。

4.填空題產(chǎn)生等離子體的電力條件是（），無線電頻率可從射頻到VHF、微波范圍內(nèi)多種多樣的頻率，但目前射頻等離子體CVD最普及。

5.填空題對于a-Si：H系，其物性上的最大特點是（）通常為1.7—1.8ev，比結(jié)晶要寬，結(jié)構(gòu)混亂引起的光學(xué)躍遷動量守恒定律的緩和作用，使其在可見光范圍內(nèi)具有相當(dāng)大的光吸收系數(shù)。