A.顴弓中點(diǎn)下緣乙狀切跡處
B.枕外粗隆外下左右1.5cm處左右
C.乳突與枕外粗隆連線上方2cm處
D.外耳道孔送入接觸到鼓膜
E.咽穹窿項(xiàng)部
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A.顴弓中點(diǎn)下緣乙狀切跡處
B.枕外粗隆外下左右1.5cm處左右
C.乳突與枕外粗隆連線上方2cm處
D.外耳道孔送入接觸到鼓膜
E.咽穹窿項(xiàng)部
A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.3分鐘
B.1分鐘
C.15~20分鐘
D.>3分鐘
E.5分鐘
最新試題
全面強(qiáng)直陣攣發(fā)作持續(xù)時(shí)間約為()。
腦電圖三相波的電生理特征不包括()。
患兒男,8月齡。半歲時(shí)出現(xiàn)頻繁發(fā)作性癥狀,智能體格發(fā)育遲滯。家族史正常。出生有窒息史。腦電圖特征為背景活動(dòng)紊亂,不規(guī)則不同步高波幅慢波活動(dòng),以及多灶性尖慢波活動(dòng)。最可能的疾病是()。
腦電圖上心電偽跡常表現(xiàn)為()。
持續(xù)性局灶性多形性delta活動(dòng)的臨床電生理特征是()。
關(guān)于發(fā)作間歇期的癇樣放電,錯(cuò)誤的是()。
患者行睡眠腦電監(jiān)測(cè),腦電圖在δ活動(dòng)的背景上突然出現(xiàn)中一高波幅的θ節(jié)律,從額區(qū)開始向后頭部擴(kuò)散,持續(xù)5~10秒,肌電活動(dòng)明顯,該患者最可能的狀態(tài)是()。
腦膿腫的腦電圖可見(jiàn)()。
顱骨缺損患者的波形為()。
尖波的電生理學(xué)特征不包括()。