單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長(zhǎng)度以在三個(gè)方向上分別測(cè)得的()作為測(cè)量結(jié)果。

A、最長(zhǎng)裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長(zhǎng)度平均值
D、裂紋長(zhǎng)度總和


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4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測(cè)量的量具應(yīng)為()。

A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺

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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()

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光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

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一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

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與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

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可用作硅片的研磨材料是()

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對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

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屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

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