A、100mm×100mm×100mm
B、100mm×100mm×400mm
C、40mm×40mm×160mm
D、100mm×100mm×300mm
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A、10±2
B、20±2
C、10±5
D、20±5
A、電熱鼓風(fēng)干燥箱
B、天平
C、材料試驗(yàn)機(jī)
D、恒溫水槽
A、100
B、150
C、200
D、250
A、150mm
B、300mm
C、450mm
D、600mm
A、100.0.1
B、100.1
C、100.0.5
D、100.0.01
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;