單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中蒸壓加氣混凝土抗凍性試驗中，將經(jīng)（）次凍融后的試件，放入電熱鼓風干燥箱內(nèi)烘至恒質(zhì)。
A、5
B、10
C、15
D、20
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1.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準進行蒸壓加氣混凝土抗凍性試驗時，每隔（）次循環(huán)檢查并記錄試件在凍融過程中的破壞情況。
A、1
B、2
C、4
D、5
2.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中蒸壓加氣混凝土抗凍性測驗試件冷凍后取出試件，放入預先降溫至（）℃以下的低溫箱或凍凍室，其間距不小于20mm。
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
3.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中蒸壓加氣混凝土抗凍性試驗的試件尺寸和數(shù)量為（）
A、100mm×100mm×100mm.3塊
B、100mm×100mm×100mm.2塊
C、100mm×100mm×300mm.3塊
D、100mm×100mm×400mm.3塊
4.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中，蒸壓加氣混凝土干燥收縮值以3塊試件的（）進行評定，精確至0.01mm/m。
A、最大值
B、最小值
C、算術平均值
D、中間值
5.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中，進行蒸壓加氣混凝土干燥收縮試驗時應在試件放置1d后，浸入（20±2）℃恒溫水槽中，水面應高出試件（）mm，保持72h。
A、20
B、30
C、40
D、50
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題