A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
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A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。