A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
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A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
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A、100
B、200
C、250
D、300
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、產(chǎn)品名稱、顏色、強度等級、質(zhì)量等級、標準編號
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強度等級、質(zhì)量等級、標準編號
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級、強度等級、標準編號
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級、強度等級、標準編號
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
最新試題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
改良西門子法的顯著特點不包括()