單項選擇題預應力筋用錨具、夾具和連接器國家標準的標準號是（）
A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
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1.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中，每粉煤灰磚每（）塊為一批，不足該數(shù)量亦按一批計。
A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
2.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中粉煤灰磚各項技術(shù)要求的指標的試驗按（）的規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標準都不對
3.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中規(guī)定粉煤灰磚色差的試驗方法為：取（）塊粉煤灰磚，平放在地上，在自然光照下，距離樣品1.5m處目測，無明顯色差。
A、30
B、36
C、40
D、50
4.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準規(guī)定優(yōu)等品磚的強度等級應不低于（）
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
5.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準規(guī)定集料應符合相應標準規(guī)定，放射性性質(zhì)應符合（）的規(guī)定。
A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題