A、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度
B、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度的80%
C、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值
D、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的80%
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A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
A、10%，30%，50%，70%
B、20%，40%，60%，80%
C、10%，50%，70%，85%
D、30%，50%，70%，90%
A、1%
B、0.5%
C、0.2%
D、0.1%
A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
最新試題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
PN結(jié)的基本特性是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。