單項(xiàng)選擇題夾片式錨具在張拉達(dá)到預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的多少之前不得出現(xiàn)裂紋（）
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)采用錐塞式錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
2.單項(xiàng)選擇題采用鋼絲束鐓頭錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
3.單項(xiàng)選擇題采用有頂壓的夾片式錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
4.單項(xiàng)選擇題用于承受錨具傳來的預(yù)加力并傳遞給混凝土的部件叫（）
A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點(diǎn)
D、錨墊板
5.單項(xiàng)選擇題張拉設(shè)備應(yīng)定期標(biāo)定，標(biāo)定期不大于（）
A、兩個(gè)月
B、三個(gè)月
C、半年
D、一年
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題