多項選擇題以下()操作描述是區(qū)別于搗棒人工搗實法的插入式振搗棒振實砼試件的典型步驟。
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實器具拔出時要緩慢,拔出后不得留有孔洞
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題以下()操作描述是區(qū)別于振動臺等機械振實法的搗棒人工搗實砼試件的典型步驟。
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次
2.多項選擇題以下()稠度的砼試件宜采用振動振實。
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
3.多項選擇題以下()稠度的砼試件宜采用搗棒人工搗實。
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
4.多項選擇題試驗室拌制砼拌合物時,稱量精度為±0.5%的砼拌合材料有()。
A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
5.多項選擇題可以進行自校驗的砼力學(xué)性能試驗儀器設(shè)備有()。
A、壓力試驗機
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題