A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強度等級越高,加荷速度應越小
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A、試件拆模時間
B、試件移入標準養(yǎng)護室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實器具拔出時要緩慢,拔出后不得留有孔洞
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
下列是晶體的是()。