A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒32.0～40.0kN
D、C25級(jí)砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×100mm立方體試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×200mm立方體試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的Φ100×200圓柱體試件為0.95
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。