A、每次試驗應制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進行軸心抗壓強度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標準規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進行軸心抗壓強度試驗,另5個用于測定彈性模量
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A、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強度值。
C、同組3個試件測值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%,則該組試件的試驗結果無效。
D、同組3個試件測值中,最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒32.0~40.0kN
D、C25級砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
可用作硅片的研磨材料是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。