A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
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A、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的20%時(shí),此次試驗(yàn)的結(jié)果無(wú)效。
B、把3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無(wú)誤的。
C、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的15%時(shí),此次試驗(yàn)的結(jié)果無(wú)效。
D、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,僅有1個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的20%時(shí),則按另2個(gè)試件的彈性模量測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()