A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項都不對
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A、小于C60強度等級的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強度等級的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強度等級的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強度等級的砼應由試驗確定
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結果無效。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時,該組試件的試驗結果無效。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術平均值作為該組試件的劈裂抗拉強度值。
A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗機壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
改良西門子法的顯著特點不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
PN結的基本特性是()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。