A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
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A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的10%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%時(shí)，取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，因砼抗拉性能差，加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05～0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對(duì)
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；