A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級時為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級時為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級時為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級時應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中，最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時，取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過程中，加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過程中，加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過程中，加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過程中，因砼抗拉性能差，加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；