A、取中值作為結(jié)果
B、取最小值作為結(jié)果
C、取最大值作為結(jié)果
D、取平均值作為結(jié)果
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A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夾具夾持寬度不小于75mm
D、上下夾具間距離為130mm。
A、試件任一端涂蓋層不應(yīng)與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應(yīng)超過(guò)胎基
C、試件無(wú)流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個(gè)試件符合要求可判定為合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類(lèi)卷材
C、18242-2008中G類(lèi)卷材
D、高分子卷材中FS2類(lèi)片材
A、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到1N/cm
C、扯斷伸長(zhǎng)率精確到1%
D、扯斷伸長(zhǎng)率精確到0.1%
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
下列是晶體的是()。
硅片拋光在原理上不可分為()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()