多項選擇題以下高分子防水卷材中拉升速率為(250±50)mm/min的有()。
A.JF1
B.JS2
C.JS1
D.FF
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1.多項選擇題關(guān)于N類卷材拉伸試驗描述下列正確的是()。
A.夾具間距為50mm
B.瀝青斷裂延伸率為試件瀝青層出現(xiàn)孔洞、裂口時的斷裂延伸率
C.取五個試件的平均值,拉力單位為N/50mm
D.夾具間距為200mm
2.多項選擇題不透水試驗采用七孔板的是()。
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
3.多項選擇題不透水試驗采用十字開縫板的是()。
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
4.多項選擇題N類按上表面材料分為()。
A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細砂
D.無膜雙面自粘
5.多項選擇題PY類產(chǎn)品的厚度有()。
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題