A、內(nèi)縮量測量分為直接測量方式和間接測量方式
B、試驗應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過測量預(yù)應(yīng)力筋錨固過程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實(shí)驗用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗
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A、總應(yīng)變測量若采用量具標(biāo)距的方式，標(biāo)距長度不應(yīng)小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式，應(yīng)該考慮實(shí)驗儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式，總長度應(yīng)為兩個夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式，應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個試件均無裂縫，下表面試件五個均無裂縫
B.上表面五個試件有兩個有裂縫，下表面五個試件均無裂縫
C.上表面五個試件有一個有裂縫，下表面五個試件有一個試件有裂縫
D.上表面五個試件有一個試件有裂縫，下表面五個試件有兩個試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
下列是晶體的是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
PN結(jié)的基本特性是（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
硅片拋光在原理上不可分為（）